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InGaAs 雪崩光電二極管(APD)是單光子檢測的專用器件,是量子通信設備中單光子檢測的核心器件。該產品由我司與CETC研究所聯合研制,打破以往該類器件對進口的依賴,且具有優秀的設計理念與工藝水平,可滿足量子信息領域對高效率低噪聲單光子檢測的技術需求。
正常工作時該器件的反向工作電壓大于二極管反向擊穿電壓(即“蓋革模式”),此時當單光子入射到APD管的光接收區時,APD管會產生雪崩脈沖電流。通過脈沖檢測電路把脈沖電流信號轉換為標準數據信號,實現對單光子探測功能。該器件的光譜響應范圍是950~1650nm。 |
關鍵特性
·單光子檢測 ·蓋革模式工作 ·高響應度 ·高探測效率 ·超低噪聲 ·尾纖封裝 ·安裝方便 |
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典型應用 ·量子通信 ·熒光檢測 ·3D成像 ·激光測距 ·環境檢測 ·時間相關計數等
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線性模式參數(室溫295K,所有電壓和電流采用默認值)
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響應度
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8-11.0A/W
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反向擊穿電壓
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60-80v
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蓋革模式參數
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光子探測效率
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10%-20%
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